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产品详细: |
单晶硅晶体
晶体结构:面心立方
生产方法:Czochralski, Floating zone
晶向:<100>、<110>、<111>
晶向精度:<2°, <1°, <0.5° or <0.1°
抛光:单面抛光、双面抛光
表面粗糙度:<0.03μm
X射线衍射质量吸收系数:CuKa 60.6 (μ/r) / cm2g-1 MoKa 6.44 (μ/r) / cm2g-1
中子散射距离:0.41543 b/10-12 cm
热中子捕获横截面:0.171 sa / barns
熔点:1409.85 °C / 1683 °K
沸点:2354.85 °C / 2628 °K
摩尔体积:12.06 cm3
导热系数:148 [300 K] Wm-1K-1
热膨胀线系数:4.2 x 10-6 K-1
电阻率:>1000Ωcm
聚磁敏感性:-1.8 x 10-9(s) kg-1m3
杨氏模量:113 GPa
刚性模量:39.7 GPa
体积模量:n.a. GPa
泊松比:0.42 GPa
半径:Si4+ 26; Si4- 271 atomic 117; covalent 117; van der Waals 200
负电性:1.90 (Pauling); 1.74 (Allred); 4.77 eV (absolute)
有效核电荷:4.15 (Slater); 4.29 (Clementi); 4.48 (Froese-Fischer)
同位素:11
同位素质量范围:24 -> 34
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